材料分析-SEM

行业资讯 admin 发布时间:2024-04-15 浏览:19 次

转载请注明来源技术原理电子显微镜是表面微细结构观察最快速有效的方法,闳康科技同时拥有多部Hitachi S-8020、S-4800等一系列超高解像能的场发射型电子显微镜(FE-SEM),可搭配精准的样品制备,如CP(ion milling)或娴熟的delayer方式,对样品表面及横截面做微区放大观察及元件尺寸量测,放大倍率可达数十万倍,另加装的X光能谱散布分析仪(Energy Dispersive Spectrometry of X-ray, EDS),则可以对微区材料做定性及半定量分析,对材料组成或异物成份分析有莫大的帮助。四有芯人注:扫描电子显微镜(SEM),简称为扫描电镜,英文缩写SEM(Scanning Electron Microscope)。它是用细聚焦的电子束轰击样品表面,通过电子与样品相互作用产生的二次电子、背散射电子等对样品表面或断口形貌进行观察和分析。SEM已广泛应用于材料、冶金、矿物、生物学领域。机台种类

图-1 (a) S-4800

图-2 (b) S-8020

SU-8220

SU-8220

分析应用

对所有类型样品提供表面及横截面微细结构观察及分析。

针对多层结构样品提供精准的膜厚量测及标示。

藉由EDS的X光谱线分析对材料做定性及半定量分析或特定区域的点,线,面的成份分布分析。

藉由低加速电压的电子束扫描做被动式电压对比(Passive Voltage Contrast, PVC),可侦测漏电或高阻值的位置,提供异常分析之判断。

样品藉由层次去除技术(Delayer),提供SEM做电路自动连拍拼接生成的图档,可以与光学显微镜生成的图档做纵向连结,提供电路还原逆向工程之参考。

配合微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)或光束引导热电子感应仪(Optical Beam Induced Resistance Change, OBIRCH)侦错,定位故障异常结构之位置,利用各种显微切割手术,进行精密解析,找出故障原因。图-3

(a) 动态随机随取记忆体晶胞在电容材料去除后的平面上视观察

(b) 动态随机随取记忆体在字元线接点处的横截面SEM观察

(c) 动态随机随取记忆体在字元线接点处的横截面SEM观察

(d) 平面式SEM上视观察。抗静电测试后的元件损伤处

(e) 积体电路线路还原工程

(f) Passive Voltage Contrast(PVC)

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